利用射頻磁控濺鍍法製備二氧化鋯軟性電阻式記憶體之特性研究 = = Ch...
林暉博

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  • 利用射頻磁控濺鍍法製備二氧化鋯軟性電阻式記憶體之特性研究 = = Characteristics of ZrO2-Based Flexible Resistive Switching Memory Fabricated by RF-Magnetron Sputtering /
  • 紀錄類型: 書目-語言資料,印刷品 : Monograph/item
    正題名/作者: 利用射頻磁控濺鍍法製備二氧化鋯軟性電阻式記憶體之特性研究 = / 林暉博撰
    其他題名: Characteristics of ZrO2-Based Flexible Resistive Switching Memory Fabricated by RF-Magnetron Sputtering /
    其他題名: Characteristics of ZrO2-Based Flexible Resistive Switching Memory Fabricated by RF-Magnetron Sputtering
    作者: 林暉博
    其他作者: 林群傑
    出版者: [花蓮縣壽豐鄉] : [國立東華大學電機工程學系], : 2012[民101],
    面頁冊數: 12,81面 : 圖,表 ; 30公分
    附註: 指導教授:林群傑
    電子資源: http://134.208.29.93/cgi-bin/cdrfb3/gsweb.cgi?ccd=xZ3ZHR&o=e2&dbid=I%2B3%3D%3C19%2A%3B%245&dbpathf=/opt/cdrfb3/db/stdcdrf/&fuid=01&dbna=
館藏地:  出版年:  卷號: 
館藏
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GE0128177 五樓論文區 (5F Theses & Dissertations) 03.不外借_N 本校碩士論文 T 448.6 4464 2012 一般使用(Normal) 在架 0
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