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20奈米N型絕緣層上多閘極金氧半場效電晶體閘極漏電流之模擬 = = S...
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黃新傑
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20奈米N型絕緣層上多閘極金氧半場效電晶體閘極漏電流之模擬 = = Simulation of 20nm N-type SOI multiple-gate MOSFET gate leakage /
紀錄類型:
書目-語言資料,印刷品 : Monograph/item
正題名/作者:
20奈米N型絕緣層上多閘極金氧半場效電晶體閘極漏電流之模擬 = / 黃新傑撰
其他題名:
Simulation of 20nm N-type SOI multiple-gate MOSFET gate leakage /
其他題名:
Simulation of 20nm N-type SOI multiple-gate MOSFET gate leakage
作者:
黃新傑
其他作者:
劉耿銘
出版者:
[花蓮縣壽豐鄉] : [國立東華大學電機工程學系], : 2012[民101],
面頁冊數:
11,63面 : 圖,表 ; 30公分
附註:
指導教授:劉耿銘
電子資源:
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20奈米N型絕緣層上多閘極金氧半場效電晶體閘極漏電流之模擬 = = Simulation of 20nm N-type SOI multiple-gate MOSFET gate leakage /
黃新傑
20奈米N型絕緣層上多閘極金氧半場效電晶體閘極漏電流之模擬 =
Simulation of 20nm N-type SOI multiple-gate MOSFET gate leakage / Simulation of 20nm N-type SOI multiple-gate MOSFET gate leakage黃新傑撰 - 初版 - [花蓮縣壽豐鄉] : [國立東華大學電機工程學系], 2012[民101] - 11,63面 : 圖,表 ; 30公分
指導教授:劉耿銘
碩士論文-- 國立東華大學電機工程學系
參考書目:面49-50
贈閱Subjects--Index Terms:
元件模擬
20奈米N型絕緣層上多閘極金氧半場效電晶體閘極漏電流之模擬 = = Simulation of 20nm N-type SOI multiple-gate MOSFET gate leakage /
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含附錄
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館藏地:
全部
五樓論文區 (5F Theses & Dissertations)
出版年:
卷號:
館藏
1 筆 • 頁數 1 •
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館藏流通類別
資料類型
索書號
使用類型
借閱狀態
預約狀態
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附件
GE0128202
五樓論文區 (5F Theses & Dissertations)
03.不外借_N
本校碩士論文
T 448.6 4402.2 2012
一般使用(Normal)
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