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氧化鎳與不同厚度二氧化鉿的雙層薄膜之電阻轉換特性= Thickness ...

許展嘉

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博客來

氧化鎳與不同厚度二氧化鉿的雙層薄膜之電阻轉換特性= Thickness dependence on the resistive switching properties of NiO/HfO2 thin films /

紀錄類型:	書目-語言資料,印刷品 : Monograph/item
正題名/作者:	氧化鎳與不同厚度二氧化鉿的雙層薄膜之電阻轉換特性= Thickness dependence on the resistive switching properties of NiO/HfO2 thin films // 許展嘉撰
其他題名:	Thickness dependence on the resistive switching properties of NiO/HfO2 thin films
作者:	許展嘉
其他作者:	馬遠榮
出版者:	花蓮縣 :物理學系, : 2018,
面頁冊數:	36面 :圖,表 ;30公分
附註:	校內電子全文開放日期 2019/08/14
標題:	電阻轉換特性 -
電子資源:	http://134.208.29.108/cgi-bin/gs32/gsweb.cgi?o=dstdcdr&s=G0610514210.id&searchmode=basic電子全文(依作者授權而定)

氧化鎳與不同厚度二氧化鉿的雙層薄膜之電阻轉換特性= Thickness dependence on the resistive switching properties of NiO/HfO2 thin films /
許展嘉

氧化鎳與不同厚度二氧化鉿的雙層薄膜之電阻轉換特性= Thickness dependence on the resistive switching properties of NiO/HfO2 thin films /Thickness dependence on the resistive switching properties of NiO/HfO2 thin films許展嘉撰 - 花蓮縣 :物理學系, 2018 - 36面 :圖,表 ;30公分

校內電子全文開放日期 2019/08/14

碩士論文--國立東華大學物理學系

含參考書目Subjects--Topical Terms:

3266300
電阻轉換特性

氧化鎳與不同厚度二氧化鉿的雙層薄膜之電阻轉換特性= Thickness dependence on the resistive switching properties of NiO/HfO2 thin films /
LDR:01069nam a2200241 450 001 2140448
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246 3 1 $a Thickness dependence on the resistive switching properties of NiO/HfO2 thin films
260 # $a 花蓮縣 : $b 物理學系, $c 2018
300 $a 36面 : $b 圖,表 ; $c 30公分
500 $a 校內電子全文開放日期 2019/08/14
500 $a 校外電子全文開放日期 2019/08/14
500 $a 國圖全文開放日期 2019/08/14
500 $a 畢業學年度: 106
500 $a 指導教授: 馬遠榮
502 $a 碩士論文--國立東華大學物理學系
504 $a 含參考書目
650 0 0 $a 電阻轉換特性 $2 lcstt $3 3266300
650 0 0 $a 二氧化鉿 $3 3322202
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