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4H-SiC DMOSFET模擬研究 = = Simulation st...

~

羅庭舒

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博客來

4H-SiC DMOSFET模擬研究 = = Simulation study on 4H-SiC DMOSFET /

紀錄類型:	書目-語言資料,印刷品 : Monograph/item
正題名/作者:	4H-SiC DMOSFET模擬研究 =/ 羅庭舒撰
其他題名:	Simulation study on 4H-SiC DMOSFET /
其他題名:	Simulation study on 4H-SiC DMOSFET
作者:	羅庭舒
其他作者:	林楚軒
出版者:	[花蓮縣] :[國立東華大學光電工程學系], : 2021,
面頁冊數:	[17], 103面 :圖,表 ;30公分
附註:	校內電子全文開放日期 2021/10/28
標題:	碳化矽元件 -
電子資源:	http://134.208.29.108/cgi-bin/gs32/gsweb.cgi?o=dstdcdr&s=G0610825008.id&searchmode=basic電子全文(依作者授權而定)

4H-SiC DMOSFET模擬研究 = = Simulation study on 4H-SiC DMOSFET /
羅庭舒

4H-SiC DMOSFET模擬研究 =Simulation study on 4H-SiC DMOSFET /Simulation study on 4H-SiC DMOSFET羅庭舒撰 - [花蓮縣] :[國立東華大學光電工程學系], 2021 - [17], 103面 :圖,表 ;30公分

校內電子全文開放日期 2021/10/28

碩士論文--國立東華大學光電工程學系

含參考書目Subjects--Topical Terms:

3534098
碳化矽元件

4H-SiC DMOSFET模擬研究 = = Simulation study on 4H-SiC DMOSFET /
LDR:00941nam a2200241Iib4500 001 2254777
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500 $a 畢業學年度: 109
500 $a 指導教授: 林楚軒
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650 # 7 $a 模擬 $2 csht $3 2415031
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700 1 # $a Lin, Chu-Hsuan $e 指導 $3 3393323
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館藏地: 出版年: 卷號:

館藏

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1

典藏地名稱

館藏流通類別

GE0195679

五樓論文區 (5F Theses & Dissertations)

03.不外借_N

本校碩士論文

T 336 6008 2021

一般使用(Normal)

在架

0

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