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以電漿輔助式分子束磊晶系統成長六方氮化硼及氮化銦鎵量子點材料 = = G...

Nurzal

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博客來

以電漿輔助式分子束磊晶系統成長六方氮化硼及氮化銦鎵量子點材料 = = Growth of hexagonal boron nitride and indium gallium nitride quantum dot materials by plasma-assisted molecular beam epitaxy system /

紀錄類型:	書目-語言資料,印刷品 : Monograph/item
正題名/作者:	以電漿輔助式分子束磊晶系統成長六方氮化硼及氮化銦鎵量子點材料 =/ Nurzal撰
其他題名:	Growth of hexagonal boron nitride and indium gallium nitride quantum dot materials by plasma-assisted molecular beam epitaxy system /
其他題名:	Growth of hexagonal boron nitride and indium gallium nitride quantum dot materials by plasma-assisted molecular beam epitaxy system
作者:	Nurzal
其他作者:	余英松
出版者:	花蓮縣 :國立東華大學材料科學與工程學系國際組, : 2023,
面頁冊數:	[13], 86面 :圖,表格 ;30公分
附註:	校內電子全文開放日期:2024/07/18
標題:	BN -
電子資源:	http://134.208.29.108/cgi-bin/gs32/gsweb.cgi?o=dstdcdr&s=G0810722204.id&searchmode=basic電子全文(依作者授權而定)

以電漿輔助式分子束磊晶系統成長六方氮化硼及氮化銦鎵量子點材料 = = Growth of hexagonal boron nitride and indium gallium nitride quantum dot materials by plasma-assisted molecular beam epitaxy system /
Nurzal

以電漿輔助式分子束磊晶系統成長六方氮化硼及氮化銦鎵量子點材料 =Growth of hexagonal boron nitride and indium gallium nitride quantum dot materials by plasma-assisted molecular beam epitaxy system /Growth of hexagonal boron nitride and indium gallium nitride quantum dot materials by plasma-assisted molecular beam epitaxy systemNurzal撰 - 花蓮縣 :國立東華大學材料科學與工程學系國際組, 2023 - [13], 86面 :圖,表格 ;30公分

校內電子全文開放日期:2024/07/18

博士論文--國立東華大學材料科學與工程學系國際組, 2023

含參考書目Subjects--Topical Terms:

3650092
BN

以電漿輔助式分子束磊晶系統成長六方氮化硼及氮化銦鎵量子點材料 = = Growth of hexagonal boron nitride and indium gallium nitride quantum dot materials by plasma-assisted molecular beam epitaxy system /
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500 $a 校外電子全文開放日期:不公開
500 $a 國圖全文開放日期:2024/07/18
500 $a 畢業學年度:111
500 $a 指導教授:余英松
502 $a 博士論文--國立東華大學材料科學與工程學系國際組, 2023
504 $a 含參考書目
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700 1 # $a Yu, Ing-Song $e 指導 $3 3380466
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